硅中四空位扩展的Koster-Slater模型
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  1990, Vol. 39 Issue (6): 128-134
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
硅中四空位扩展的Koster-Slater模型
申三国1, 范希庆1, 张德萱1, 任尚元2
(1)郑州大学物理系,郑州,450052; (2)中国科学技术大学物理系,合肥,230026
EXTENDED POTENTIAL MODEL OF TETRAVACANCY IN SILICON
SHEN SAN-GUO1, FAN XI-QING1, ZHANG DE-XUAN1, REN SHANG-YUAN2
(1)郑州大学物理系,郑州,450052; (2)中国科学技术大学物理系,合肥,230026

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn