新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (20): 207301     doi:10.7498/aps.61.207301
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新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究
余晨辉1, 罗向东1, 周文政2, 罗庆洲3, 刘培生1
1. 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室, 南通 226019;
2. 广西大学物理科学与工程技术学院, 南宁 530004;
3. 南京信息工程大学遥感学院, 南京 210044
Investigation on the current collapse effect of AlGaN/GaN/InGaN/GaN double-heterojunction HEMTs
Yu Chen-Hui1, Luo Xiang-Dong1, Zhou Wen-Zheng2, Luo Qing-Zhou3, Liu Pei-Sheng1
1. Jiangsu Key Laboratory of ASIC Design, Nantong University, Nantong 226019, China;
2. College of Physics Science and Technology, Guangxi University, Nanning 530004, China;
3. School of Remote Sensing, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, China

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