直流磁控溅射厚度对Cu(In<sub><i>x</i></sub>,Ga<sub>1-<i>x</i></sub>)Se<sub>2</sub>背接触Mo薄膜性能的影响
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (11): 116801     doi:10.7498/aps.62.116801
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直流磁控溅射厚度对Cu(Inx,Ga1-x)Se2背接触Mo薄膜性能的影响
田晶, 杨鑫, 刘尚军, 练晓娟, 陈金伟, 王瑞林
四川大学材料科学与工程学院, 成都 610065
Effect of thickness on the properties of Cu(Inx,Ga1-x)Se2 back conduct Mo thin films prepared by DC sputtering
Tian Jing, Yang Xing, Liu Shang-Jun, Lian Xiao-Juan, Chen Jin-Wei, Wang Rui-Lin
College of materials science and engineering, Sichuan University, Chendu 610065, China

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