MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究
物理学报
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物理学报  2001, Vol. 50 Issue (8): 1585-1589
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究
张进城, 郝跃, 朱志炜
西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
STUDY ON HIGH ELECTRIC FIELD ANNEALING EFFECT IN THIN GATE OXIDE OF MOS STRUCTURE
ZHANG JIN-CHENG, HAO YUE, ZHU ZHI-WEI
西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

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