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SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

姚红英 顾 晓 季 敏 张笛儿 龚新高

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

姚红英, 顾 晓, 季 敏, 张笛儿, 龚新高
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-21
  • 刊出日期:  2006-11-20

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

  • 1. 复旦大学物理系,上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金,上海市科委基金和国家重点基础研究发展计划(973)项目资助的课题.

摘要: 采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co, Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In (Ga)的扩散激活能只有0.1—0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.

English Abstract

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