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O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响

梁荣庆 卫永霞 钱晓梅 俞笑竹 叶 超 宁兆元

O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响

梁荣庆, 卫永霞, 钱晓梅, 俞笑竹, 叶 超, 宁兆元
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-19
  • 修回日期:  2006-07-09
  • 刊出日期:  2007-01-26

O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响

  • 1. (1)复旦大学现代物理研究所,上海 200433; (2)苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料实验室,苏州 215006
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10575074)和苏州大学薄膜材料江苏省重点实验室资助的课题.

摘要: 以十甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.

English Abstract

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