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Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制

叶 超 宁兆元 辛 煜 王婷婷 俞笑竹

Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制

叶 超, 宁兆元, 辛 煜, 王婷婷, 俞笑竹
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-17
  • 修回日期:  2005-09-13
  • 刊出日期:  2006-05-20

Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制

  • 1. 苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料重点实验室,苏州 215006
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10575074)和苏州大学薄膜材料江苏省重点实验室资助的课题.

摘要: 研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.

English Abstract

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