搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Tm2O3相对于Si的能带偏移研究

汪建军 方泽波 冀婷 朱燕艳 任维义 张志娇

Tm2O3相对于Si的能带偏移研究

汪建军, 方泽波, 冀婷, 朱燕艳, 任维义, 张志娇
PDF
导出引用
导出核心图
  • 利用分子束外延系统在Si (001) 衬底上制备了单晶Tm2O3薄膜, 利用X射线光电子能谱研究了Tm2O3相对于Si的能带偏移. 得出Tm2O3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV 0.2 eV和1.9 eV 0.3 eV, 并得出了Tm2O3的禁带宽度为6.1 eV 0.2 eV. 研究结果表明Tm2O3是一种很有前途的高k栅介质候选材料.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60806031, 11004130)、浙江省自然科学基金(批准号: Y6100596)和上海市重点基础研究项目(批准号: 10JC1405900)资助的课题.
    [1]

    Sze S M 1981 Physics of Semiconductor Devices (2nd Ed.) (New York: Wiley) p275

    [2]

    Huo H B, Liu Z T, Yan F 2008 Mater. Rev. 22 123 (in Chinese) [霍会宾, 刘正堂, 阎锋 2008 材料导报 22 123]

    [3]

    Yoannoa. Sougleridis V, Vellianitis G, Dimoulas A 2003 J. Appl. Phys. 93 2003

    [4]

    Guo D F, Geng W G, Lan W, Huang C M, Wang Y Y 2005 Acta Phys. Sin. 54 5901 (in Chinese) [郭得峰, 耿伟刚, 兰伟, 黄春明, 王印月 2005 物理学报 54 5901]

    [5]

    Li D, Lü S Z, Chen B J, Wang H Y, Tang B, Zhang J H, Hou S G, Huang S H 2001 Acta Phys. Sin. 50 933 (in Chinese) [李丹, 吕少哲, 陈宝玖, 王海宇, 唐波, 张家骅, 侯尚公, 黄世华 2001 物理学报 50 933]

    [6]

    Tinkham B P, Takahasi M, Jenichen B 2006 Semiconduc. Sci. Tech. 21 152

    [7]

    Guo X, Braun W, Jenichen B, Plooge K H 2006 J. Cryst. Growth 290 73

    [8]

    Losurdo M, Giangregorio M M, Bruno G, Yang D, Irene E A, Suvorova A A, Saunders M 2007 Appl. Phys. Lett. 91 091914

    [9]

    Jinesh K B, Lamy Y, Tois E, BeslingWF A 2009 Appl. Phys. Lett. 94 252906

    [10]

    Fang Z B, Zhu Y Y, Wang J L, Jiang Z M 2009 Chin. Phys. B 18 3542

    [11]

    Zhu Y Y, Fang Z B, Liu Y S 2010 Chin. Phys. B 19 097807

    [12]

    Cheng W, Fang Z B, Ma X Y 2010 Nanomater. Struct. 47 282 (in Chinese) [陈伟, 方泽波, 马锡英 2010 纳米材料与结构 47 282]

    [13]

    Ono H, Katsumata T 2001 Appl. Phys. Lett. 78 1832

    [14]

    Ji T, Cui J, Fang Z B, Nie T X, Fan Y L, Li X L, He Q, Jiang Z M 2011 J. Crys. Growth 321 171

    [15]

    Kraut E A, Grant R W, Waldrop J R, Kowalczyk S P 1980 Phys. Rev. Lett. 44 1620

    [16]

    Kraut E A, Grant R W, Waldrop J R, Kowalczyk S P 1983 Phys. Rev. B 28 1965

    [17]

    Chambers S A, Liang Y, Yu Z, Droopad R, Ramdani J 2001 J. Vac. Sci. Technol. A 19 934

    [18]

    Miyazaki S 2001 J. Vac. Sci. Technol. B 19 2212

    [19]

    Zhu Y Y, Chen S, Xu R, Fang Z B, Zhao J F, Fan Y L, Yang X J, Jiang Z M 2006 Appl. Phys. Lett. 88 162909

    [20]

    Akazawa M, Gao B, Hashizume T, Hiroki M, Yamahata S, Shigekawa N 2011 J. Appl. Phys. 109 013703

    [21]

    Sayan S, Emge T, Garfunkel E, Zhao X, Wielunskil, Bartynski R A, Vanderbilt D, Suehle J S, Suzer S, Banaszak-Holl M 2004 J. Appl. Phys. 96 7485

    [22]

    Puthen Kovilakam R, Chang J P 2004 J. Appl. Phys. 96 2701

    [23]

    Seguini G, Perego M, Fanciulli M 2007 Topics in Applied Physics (Berlin: Springer-Verlag)

    [24]

    Zheng X H, Huang A P, Yang Z C, Xiao Z S, Wang M, Cheng G A 2011 Acta Phys. Sin. 60 017702 (in Chinese) [郑小虎, 黄安平, 杨智超, 肖志松, 王玫, 程国安 2011 物理学报 60 017702]

  • [1]

    Sze S M 1981 Physics of Semiconductor Devices (2nd Ed.) (New York: Wiley) p275

    [2]

    Huo H B, Liu Z T, Yan F 2008 Mater. Rev. 22 123 (in Chinese) [霍会宾, 刘正堂, 阎锋 2008 材料导报 22 123]

    [3]

    Yoannoa. Sougleridis V, Vellianitis G, Dimoulas A 2003 J. Appl. Phys. 93 2003

    [4]

    Guo D F, Geng W G, Lan W, Huang C M, Wang Y Y 2005 Acta Phys. Sin. 54 5901 (in Chinese) [郭得峰, 耿伟刚, 兰伟, 黄春明, 王印月 2005 物理学报 54 5901]

    [5]

    Li D, Lü S Z, Chen B J, Wang H Y, Tang B, Zhang J H, Hou S G, Huang S H 2001 Acta Phys. Sin. 50 933 (in Chinese) [李丹, 吕少哲, 陈宝玖, 王海宇, 唐波, 张家骅, 侯尚公, 黄世华 2001 物理学报 50 933]

    [6]

    Tinkham B P, Takahasi M, Jenichen B 2006 Semiconduc. Sci. Tech. 21 152

    [7]

    Guo X, Braun W, Jenichen B, Plooge K H 2006 J. Cryst. Growth 290 73

    [8]

    Losurdo M, Giangregorio M M, Bruno G, Yang D, Irene E A, Suvorova A A, Saunders M 2007 Appl. Phys. Lett. 91 091914

    [9]

    Jinesh K B, Lamy Y, Tois E, BeslingWF A 2009 Appl. Phys. Lett. 94 252906

    [10]

    Fang Z B, Zhu Y Y, Wang J L, Jiang Z M 2009 Chin. Phys. B 18 3542

    [11]

    Zhu Y Y, Fang Z B, Liu Y S 2010 Chin. Phys. B 19 097807

    [12]

    Cheng W, Fang Z B, Ma X Y 2010 Nanomater. Struct. 47 282 (in Chinese) [陈伟, 方泽波, 马锡英 2010 纳米材料与结构 47 282]

    [13]

    Ono H, Katsumata T 2001 Appl. Phys. Lett. 78 1832

    [14]

    Ji T, Cui J, Fang Z B, Nie T X, Fan Y L, Li X L, He Q, Jiang Z M 2011 J. Crys. Growth 321 171

    [15]

    Kraut E A, Grant R W, Waldrop J R, Kowalczyk S P 1980 Phys. Rev. Lett. 44 1620

    [16]

    Kraut E A, Grant R W, Waldrop J R, Kowalczyk S P 1983 Phys. Rev. B 28 1965

    [17]

    Chambers S A, Liang Y, Yu Z, Droopad R, Ramdani J 2001 J. Vac. Sci. Technol. A 19 934

    [18]

    Miyazaki S 2001 J. Vac. Sci. Technol. B 19 2212

    [19]

    Zhu Y Y, Chen S, Xu R, Fang Z B, Zhao J F, Fan Y L, Yang X J, Jiang Z M 2006 Appl. Phys. Lett. 88 162909

    [20]

    Akazawa M, Gao B, Hashizume T, Hiroki M, Yamahata S, Shigekawa N 2011 J. Appl. Phys. 109 013703

    [21]

    Sayan S, Emge T, Garfunkel E, Zhao X, Wielunskil, Bartynski R A, Vanderbilt D, Suehle J S, Suzer S, Banaszak-Holl M 2004 J. Appl. Phys. 96 7485

    [22]

    Puthen Kovilakam R, Chang J P 2004 J. Appl. Phys. 96 2701

    [23]

    Seguini G, Perego M, Fanciulli M 2007 Topics in Applied Physics (Berlin: Springer-Verlag)

    [24]

    Zheng X H, Huang A P, Yang Z C, Xiao Z S, Wang M, Cheng G A 2011 Acta Phys. Sin. 60 017702 (in Chinese) [郑小虎, 黄安平, 杨智超, 肖志松, 王玫, 程国安 2011 物理学报 60 017702]

  • [1] 杨蒙生, 易泰民, 郑凤成, 唐永建, 张林, 杜凯, 李宁, 赵利平, 柯博, 邢丕峰. 沉积态铀薄膜表面氧化的X射线光电子能谱. 物理学报, 2018, 67(2): 027301. doi: 10.7498/aps.67.20172055
    [2] 徐卓, 陈光德, 苑进社, 齐鸣, 李爱珍. 分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究. 物理学报, 2001, 50(12): 2429-2433. doi: 10.7498/aps.50.2429
    [3] 许思维, 王丽, 沈祥. GexSb20Se80-x玻璃的拉曼光谱和X射线光电子能谱. 物理学报, 2015, 64(22): 223302. doi: 10.7498/aps.64.223302
    [4] 赵 昆, 冯玉清, 朱 涛, 詹文山. 磁性隧道结热稳定性的x射线光电子能谱研究. 物理学报, 2005, 54(11): 5372-5376. doi: 10.7498/aps.54.5372
    [5] 张崇宏, 张丽卿, 宋银, 孙友梅, 韩录会, 杨义涛. 低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究. 物理学报, 2010, 59(7): 4584-4590. doi: 10.7498/aps.59.4584
    [6] 刘常升, 李永华, 孟繁玲, 王煜明, 郑伟涛. NiTi合金薄膜厚度对相变温度影响的X射线光电子能谱分析. 物理学报, 2009, 58(4): 2742-2745. doi: 10.7498/aps.58.2742
    [7] 宋 珍, 欧谷平, 桂文明, 张福甲. 原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO的表面分析. 物理学报, 2005, 54(12): 5717-5722. doi: 10.7498/aps.54.5717
    [8] 李刘合, 张海泉, 崔旭明, 张彦华, 夏立芳, 马欣新, 孙跃. X射线光电子能谱辅助Raman光谱分析类金刚石碳膜的结构细节. 物理学报, 2001, 50(8): 1549-1554. doi: 10.7498/aps.50.1549
    [9] 王晓雄, 李宏年. Sm富勒烯的芯态光电子能谱. 物理学报, 2006, 55(8): 4259-4264. doi: 10.7498/aps.55.4259
    [10] 张旺, 徐法强, 王国栋, 张文华, 李宗木, 王立武, 陈铁锌. Fe/ZnO (0001)体系界面相互作用中薄膜厚度效应的光电子能谱研究. 物理学报, 2011, 60(1): 017104. doi: 10.7498/aps.60.017104
    [11] 张山丽, 曾繁明, 王欣桐, 李春, 王成伟, 张莹, 林海, 秦杰明, 刘景和. Cr4+:Ca2 GeO4激光晶体生长及结构表征. 物理学报, 2010, 59(10): 7214-7218. doi: 10.7498/aps.59.7214
    [12] 胡亚亚, 朱媛媛, 周贝贝, 刘硕, 刘雍, 熊锐, 石兢. R型铁氧体BaFe4-xTi2+xO11的化学组态以及磁性行为的研究. 物理学报, 2015, 64(11): 117501. doi: 10.7498/aps.64.117501
    [13] 徐庆宇, 倪 刚, 桑 海, 都有为, 刘存业. Fe/Al2O3/Fe隧道结特性分析. 物理学报, 2000, 49(9): 1897-1900. doi: 10.7498/aps.49.1897
    [14] 张益军, 杨智, 常本康, 邹继军. GaAs真空电子源衰减模型研究. 物理学报, 2011, 60(1): 017902. doi: 10.7498/aps.60.017902
    [15] 徐世宏, 徐彭寿, 班大雁, 方容川, 杨风源, 袁诗鑫. Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究. 物理学报, 1997, 46(3): 587-595. doi: 10.7498/aps.46.587
    [16] 陆尔东, 徐世宏, 徐彭寿, 班大雁, 方容川, 薛剑耿. Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究. 物理学报, 1997, 46(9): 1817-1825. doi: 10.7498/aps.46.1817
    [17] 彭德全, 白新德, 潘 峰, 孙 辉. 纯锆上离子注入钇和镧后的表面分析. 物理学报, 2005, 54(12): 5914-5919. doi: 10.7498/aps.54.5914
    [18] 何丽静, 林晓娉, 王铁宝, 刘春阳. 单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究. 物理学报, 2007, 56(12): 7158-7164. doi: 10.7498/aps.56.7158
    [19] 张 辉, 刘应书, 刘文海, 王宝义, 魏 龙. 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响. 物理学报, 2007, 56(12): 7255-7261. doi: 10.7498/aps.56.7255
    [20] 王震遐, 竺建康, 张伟, 任翠兰. C59N和C19N晶体的合成. 物理学报, 2009, 58(7): 5046-5050. doi: 10.7498/aps.58.5046
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1476
  • PDF下载量:  409
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-29
  • 修回日期:  2011-04-12
  • 刊出日期:  2012-01-05

Tm2O3相对于Si的能带偏移研究

  • 1. 西华师范大学物理与电子信息学院, 南充 637002;
  • 2. 绍兴文理学院物理系, 绍兴 312000;
  • 3. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室, 上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60806031, 11004130)、浙江省自然科学基金(批准号: Y6100596)和上海市重点基础研究项目(批准号: 10JC1405900)资助的课题.

摘要: 利用分子束外延系统在Si (001) 衬底上制备了单晶Tm2O3薄膜, 利用X射线光电子能谱研究了Tm2O3相对于Si的能带偏移. 得出Tm2O3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV 0.2 eV和1.9 eV 0.3 eV, 并得出了Tm2O3的禁带宽度为6.1 eV 0.2 eV. 研究结果表明Tm2O3是一种很有前途的高k栅介质候选材料.

English Abstract

参考文献 (24)

目录

    /

    返回文章
    返回