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电场调谐InAs量子点荷电激子光学跃迁

李文生 孙宝权

电场调谐InAs量子点荷电激子光学跃迁

李文生, 孙宝权
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  • 在低温5 K下, 采用光致发光光谱及外加偏压调谐量子点电荷组态研究了InAs单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、不同带电荷激子的圆偏振特性. 得出如下结果: 1) 指认InAs单量子点中不同荷电激子的发光光谱和对应的激子本征态的偏振特性; 2) 外加偏压可以调谐量子点的荷电激子的发光光谱; 3) 伴随着电子、空穴的能量弛豫, 电子的自旋弛豫时间远大于空穴的自旋弛豫时间.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11074246)资助的课题.
    [1]

    Awschalom D D, Loss D, Samarth N 2002 Semiconductor Spintronics and Quantum Computing (Berlin: Springer) p277

    [2]

    Yuan Z, Kardynal B E, Stevenson R M, Shields A J, Lobo C J, Cooper K, Beattie N S, Ritchie D A, Pepper M 2002 Science 295 102

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    Urbaszek B, Warburton R J, Karrai K, Gerardot, Petroff P M, Garcia J M 2003 Phys. Rev. Lett. 90 247403

    [4]

    Ediger M, Bester G, Gerardot B D, Badolato A, Petroff P M, Karrai K, Zunger A, Warburton R J 2007 Phys. Rev. Lett. 98 036808

    [5]

    Smith J M, Dalgaruo P A, Warburton R J, Govorov, Karrai K, Gerardot B D, Petroff P M 2005 Phys. Rev. Lett. 94 197402

    [6]

    Ware M E, Stinaff E A, Gammon D, Doty M F, Bracker A S, Gershoni D, Korenev V L, Badescu S C, Lyanda-Geller Y, Reinecke T L 2005 Phys. Rev. Lett. 95 177403

    [7]

    Dou X M, Sun B Q, Jiang D S, Ni H Q, Niu Z C 2011 Phys. Rev. B 84 033302

    [8]

    Dou X M, Sun B Q, Jiang D S, Ni H Q, Niu Z C 2012 Europhys. Lett. 98 17007

    [9]

    Huang S S, Niu Z C, Ni H Q, Xiong Y H, Zhan F, Fang Z D, Xia J B 2007 J. Crystal Growth 301 751

    [10]

    Feucker M, Seguin R, Rodt S, Hoffmann A, Bimberg D 2008 Appl. Phys. Lett. 92 063116

    [11]

    Chang X Y, Dou X M, Sun B Q, Xiong Y H, Niu Z C, Ni H Q, Jiang D S 2009 J. Appl. Phys. 106 103716

    [12]

    Cortez S, Krebs O, Laurent S, Senes M, Marie X, Voisin P, Ferreira R, Bastard G, Gerard J M, Amand T 2002 Phys. Rev. Lett. 89 207401

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    Yuan Z, Kardynal B E, Stevenson R M, Shields A J, Lobo C J, Cooper K, Beattie N S, Ritchie D A, Pepper M 2002 Science 295 102

    [3]

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    Ediger M, Bester G, Gerardot B D, Badolato A, Petroff P M, Karrai K, Zunger A, Warburton R J 2007 Phys. Rev. Lett. 98 036808

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    [6]

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    Dou X M, Sun B Q, Jiang D S, Ni H Q, Niu Z C 2011 Phys. Rev. B 84 033302

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    Chang X Y, Dou X M, Sun B Q, Xiong Y H, Niu Z C, Ni H Q, Jiang D S 2009 J. Appl. Phys. 106 103716

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  • [1] 王文娟, 王海龙, 龚谦, 宋志棠, 汪辉, 封松林. 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响. 物理学报, 2013, 62(23): 237104. doi: 10.7498/aps.62.237104
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-21
  • 修回日期:  2012-09-18
  • 刊出日期:  2013-02-20

电场调谐InAs量子点荷电激子光学跃迁

  • 1. 通辽职业学院 化工学院, 通辽 028000;
  • 2. 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11074246)资助的课题.

摘要: 在低温5 K下, 采用光致发光光谱及外加偏压调谐量子点电荷组态研究了InAs单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、不同带电荷激子的圆偏振特性. 得出如下结果: 1) 指认InAs单量子点中不同荷电激子的发光光谱和对应的激子本征态的偏振特性; 2) 外加偏压可以调谐量子点的荷电激子的发光光谱; 3) 伴随着电子、空穴的能量弛豫, 电子的自旋弛豫时间远大于空穴的自旋弛豫时间.

English Abstract

参考文献 (12)

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