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使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

秦 琦 于乃森 郭丽伟 汪 洋 朱学亮 陈 弘 周均铭

使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

秦 琦, 于乃森, 郭丽伟, 汪 洋, 朱学亮, 陈 弘, 周均铭
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-05
  • 修回日期:  2005-05-08
  • 刊出日期:  2005-11-20

使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

  • 1. 中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室,北京 100080

摘要: 采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并 在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对 GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现,用SiNx原位淀积出纳米掩模后 ,GaN生长将由二维向三维转变,直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄 膜中的残余应力,两者符合得很好;这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外 延更加均匀;并且从中发现随着生长过程中SiNx原位淀积时间的增加,生长在 其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为,随着SiNx原位淀积时间的增加 ,SiNx纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大,残余应力随之减 小.

English Abstract

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