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射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究

王玉恒 马 瑾 计 峰 余旭浒 张锡健 马洪磊

射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究

王玉恒, 马 瑾, 计 峰, 余旭浒, 张锡健, 马洪磊
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-06-21
  • 修回日期:  2004-09-02
  • 刊出日期:  2005-02-05

射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究

  • 1. 山东大学物理与微电子学院,济南 250100
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90401004)和教育部科学技术研究重点项目(批准号:02165)资助的课题.

摘要: 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡(SnO22:Sb)薄膜.制 备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为[110].室温下光致发光测量结果表明,在392nm附近存在强的紫外-紫光发射.研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响,并对SnO22:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.

English Abstract

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