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用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

缑 洁 何志巍 潘国辉 王印月

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

缑 洁, 何志巍, 潘国辉, 王印月
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-28
  • 修回日期:  2005-12-09
  • 刊出日期:  2006-06-20

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

  • 1. 兰州大学物理系,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50272027)资助的课题.

摘要: 用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布. 并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.

English Abstract

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