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CMOS器件60Co γ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

何宝平 陈 伟 王桂珍

CMOS器件60Co γ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

何宝平, 陈 伟, 王桂珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-28
  • 修回日期:  2006-01-13
  • 刊出日期:  2006-07-20

CMOS器件60Co γ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

  • 1. 西北核技术研究所,西安 710613
    基金项目: 

    国防预研基金(批准号:3110705)资助的课题.

摘要: 利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Co γ射线、1MeV电子和2—9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Co γ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Co γ射线、1MeV 电子和2—7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;

English Abstract

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