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基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

刘 杰 郝 跃 冯 倩 王 冲 张进城 郭亮良

基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

刘 杰, 郝 跃, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郭亮良
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-09
  • 修回日期:  2007-01-30
  • 刊出日期:  2007-03-05

基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020301,2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题.

摘要: 基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.

English Abstract

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