直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

徐 进; 李福龙; 杨德仁

doi:10.7498/aps.56.4113

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直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

徐进 , 李福龙 , 杨德仁

直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

徐进, 李福龙, 杨德仁

物理学报. 2007, 56(7): 4113-4116.

doi: 10.7498/aps.56.4113.

摘要
利用透射电镜对掺氮(NCZ) 和普通 (CZ) 直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究. 研究表明，在NCZ样品中，有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成，而在CZ样品中，没有观察到这种氧沉淀. 初步认为，这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.

关键词:
直拉硅 /

　透射电镜 /

　氧沉淀
作者及机构信息
徐进¹,

李福龙¹,

杨德仁²

(1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

基金项目: 厦门大学科研启动经费(批准号：0000-X07157)，国家自然科学基金(批准号：50572094)和福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划(批准号：0000-X07201)资助的课题.
参考文献

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物理学报. 2007, 56(7): 4113-4116.

doi: 10.7498/aps.56.4113.

直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

1. (1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

基金项目:

厦门大学科研启动经费(批准号：0000-X07157)，国家自然科学基金(批准号：50572094)和福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划(批准号：0000-X07201)资助的课题.

收稿日期: 2006-11-10
修回日期: 2006-12-15
刊出日期: 2007-07-20

摘要: 利用透射电镜对掺氮(NCZ) 和普通 (CZ) 直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究. 研究表明，在NCZ样品中，有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成，而在CZ样品中，没有观察到这种氧沉淀. 初步认为，这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.

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(1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

参考文献

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直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

English Abstract

Grown-in oxygen precipitates in czochralski silicon investigated by transmission electron microscopy

1.
(1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

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(1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

参考文献

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出版历程

直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

English Abstract

Grown-in oxygen precipitates in czochralski silicon investigated by transmission electron microscopy

1. (1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

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(1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027