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AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

魏 巍 郝 跃 冯 倩 张进城 张金凤

AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

魏 巍, 郝 跃, 冯 倩, 张进城, 张金凤
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-25
  • 修回日期:  2007-11-05
  • 刊出日期:  2008-02-05

AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904)和国家自然科学基金(批准号:60676048,F040402)资助的课题.

摘要: 对不同场板尺寸的AlGaN/GaN 场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之增加,而当长度增大到一定程度后器件击穿电压不再增加.通过优化场板长度,器件击穿电压提高了64%,且实验结果与模拟结果相符.

English Abstract

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