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动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价

栾苏珍 刘红侠 贾仁需

动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价

栾苏珍, 刘红侠, 贾仁需
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-05
  • 修回日期:  2007-11-30
  • 刊出日期:  2008-04-25

动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60206006)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851)和国防预研基金(批准号:51308040103)资助的课题.

摘要: 实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电子很少,同时低电平应力时间内一部分电荷退陷,形成的中性电子陷阱更少.随着应力时间的累积,中性电子陷阱达到某个临界值,栅氧化层突然击穿.高电平时形成的陷阱较少和低电平时一部分电荷退陷,使得器件的寿命提高.

English Abstract

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