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a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

赵 雷 周春兰 李海玲 刁宏伟 王文静

a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

赵 雷, 周春兰, 李海玲, 刁宏伟, 王文静
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-04
  • 修回日期:  2007-10-31
  • 刊出日期:  2008-05-28

a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

  • 1. 中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室,北京 100080
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA05Z405)资助的课题.

摘要: 采用AFORS-HET数值模拟软件,对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟,分析了影响背场效果的原因,得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙16 eV,硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料,其最佳厚度在5nm左右. 这种背场从工艺上易于实现,并且,与常用的Al扩散背场相比,在相同的掺杂浓度下,电池效率可以大大提高.

English Abstract

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