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低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响

韩晓艳 侯国付 李贵君 张晓丹 袁育杰 张德坤 陈新亮 魏长春 孙 健 耿新华

低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响

韩晓艳, 侯国付, 李贵君, 张晓丹, 袁育杰, 张德坤, 陈新亮, 魏长春, 孙 健, 耿新华
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-06
  • 修回日期:  2008-03-05
  • 刊出日期:  2008-04-05

低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202602,2006CB202603)、国家自然科学基金(批准号:60506003)和天津市国家科技计划配套基金(批准号:07QTPTJC29500)资助的课题.

摘要: 在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速沉积微晶硅(μc-Si:H)太阳电池过程中,产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏p型掺杂层(p层)与本征层(i层)之间的界面特性.针对该问题提出在电池中引入低速沉积的p/i界面层的方法,即在p层上先低速沉积一薄层本征μc-Si:H薄膜,然后再高速沉积本征μc-Si:H薄膜.实验结果表明,引入低速方法沉积的界面层有效地提高了p/i界面特性和i层微结构的纵向均匀性,而随界面层厚度的增加,i层中的缺陷态先降低后增加,

English Abstract

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