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以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

赵德刚 周梅

以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

赵德刚, 周梅
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-09
  • 修回日期:  2009-02-17
  • 刊出日期:  2009-10-20

以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083; (2)中国农业大学理学院应用物理系,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60776047)和教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708014)资助的课题.

摘要: 提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p--GaN层的肖特基接触势垒高度、p--GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明,降低金属与p--GaN层的接触势垒高度、适当减小p--GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场,从而提高器件的量子效率.要制备出

English Abstract

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