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原子力显微技术研究ZnO纳米棒的压电放电特性

邵铮铮 王晓峰 张学骜 常胜利

原子力显微技术研究ZnO纳米棒的压电放电特性

邵铮铮, 王晓峰, 张学骜, 常胜利
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-22
  • 修回日期:  2009-05-22
  • 刊出日期:  2010-01-15

原子力显微技术研究ZnO纳米棒的压电放电特性

  • 1. 国防科技大学理学院物质与材料科学实验中心,长沙 410073
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863计划)项目(批准号:2009AA01Z114)资助的课题.

摘要: 在原子力显微镜的接触扫描模式下,研究了半导体ZnO纳米棒的压电放电特性.采用两步湿化学法制备沿c轴择优生长的ZnO纳米棒阵列;利用镀Pt探针接触扫描ZnO纳米棒获得峰值达120 pA电流脉冲,脉冲持续时间可达30 ms,电流脉冲与纳米棒的形貌存在对应关系.镀Pt探针与ZnO纳米棒接触形成肖特基二极管,I-V特性研究表明放电的ZnO纳米棒压电电势必须大于03 V,以驱动肖特基二极管并输出电流;放电时肖特基二极管的结电阻达吉欧(GΩ)量级,是影响压电电势输出的主要因

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