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具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

杨银堂 耿振海 段宝兴 贾护军 余涔 任丽丽

具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

杨银堂, 耿振海, 段宝兴, 贾护军, 余涔, 任丽丽
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-30
  • 修回日期:  2009-05-13
  • 刊出日期:  2010-01-15

具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委预研项目(批准号:51308030201,9140A08050509DZ0106)资助的课题.

摘要: 提出了一种具有部分超结(super junction, SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2<

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