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高阻氮化镓外延层的异常光吸收

刘文宝 赵德刚 江德生 刘宗顺 朱建军 张书明 杨辉

高阻氮化镓外延层的异常光吸收

刘文宝, 赵德刚, 江德生, 刘宗顺, 朱建军, 张书明, 杨辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-17
  • 修回日期:  2010-02-20
  • 刊出日期:  2010-11-15

高阻氮化镓外延层的异常光吸收

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60776047,60506001,60476021,60576003,60836003)资助的课题.

摘要: 通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响应显示了区域不一致性.20 V偏压下反向偏置结处的光谱响应比正向偏置结处的光谱响应大一个数量级左右,峰值响应的位置也发生明显红移现象,红移的能量约为28 meV,并且几乎不随环境温度变化.根据MSM结构的电场分布不均以及带边和激子响应对电场的依赖性不同,MSM型探测器的这种

English Abstract

参考文献 (8)

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