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GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应

金豫浙 胡益培 曾祥华 杨义军

GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应

金豫浙, 胡益培, 曾祥华, 杨义军
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-04
  • 修回日期:  2009-06-26
  • 刊出日期:  2010-02-15

GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应

  • 1. 扬州大学物理科学与技术学院,扬州 225002
    基金项目: 

    江苏省自然科学基金(批准号:BG2007026)资助的课题.

摘要: 本文用4×104 Ci (1 Ci=3.7×1010 Bq)的60Co源(剂量率2×105 rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行5种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度、最大半峰宽(FWHM)和电流-电压(I-V)、电流-光通量(I-F)等电光学特性分析,得到γ射线对GaN基LED器件的辐照效应.结果发现,辐照后LED器件的发光一致性和均匀性变差,在20 mA工作电流下,最大剂量下器件发光强度衰减近90%,光通量衰减约40%,并得到器件的抗辐照能力的参数τ0Kγ为4.039×10-7 rad·s-1,发现较低的正向偏压下(小于2.6 V)器件的饱和电流随辐照总剂量增大而增大.

English Abstract

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