搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

CI在Si和Ge(111)面上的化学吸附

张开明 叶令

CI在Si和Ge(111)面上的化学吸附

张开明, 叶令
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2618
  • PDF下载量:  451
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1980-03-03
  • 刊出日期:  1980-06-05

CI在Si和Ge(111)面上的化学吸附

  • 1. 复旦大学现代物理研究所

摘要: 考虑了Si(111)和Ge(111)面吸附Cl的几何构形,本文采用集团模型,用电荷自洽的EHMO方法,对Si(111)和Ge(111)面,分别用能量极小的原则,确定了Cl的化学吸附位置。计算结果表明,对于Si(111)面,Cl是在顶位被吸附,形成共价结合,与实验结果一致。对于Ge(111)面,计算表明在顶位和三度开位上都能吸附Cl,与以前结论有一些不同,但本文认为偏振光电子谱的实验结果并不能完全排除Cl在Ge(111)面上顶位吸附的可能性。希望有其他实验能对Cl在Ge(111)面上的吸附作进一步的观察。此外,还计算了Cl在Si(111)面顶位上的吸附和它在Ge(111)面三度开位上的吸附时的状态密度,和实验结果进行了比较,相符甚好。

English Abstract

参考文献 (1)

目录

    /

    返回文章
    返回