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半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究

黎华 韩英军 谭智勇 张戎 曹俊诚

半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究

黎华, 韩英军, 谭智勇, 张戎, 曹俊诚
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-31
  • 修回日期:  2009-07-08
  • 刊出日期:  2010-03-15

半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究

  • 1. 信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310402),国家自然科学基金(批准号:60721004,60606027)、中科院重要方向项目(批准号:KGCX2-YW-231),中科院重大基金和“百人计划”资助的课题.

摘要: 采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹(THz)量子级联激光器(QCL)有源区结构,研究了半绝缘等离子体波导THz QCL的器件工艺,采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性.器件激射频率为32 THz,10 K下的阈值电流密度为275 A/cm2.

English Abstract

参考文献 (17)

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