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用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

孟志国 吴春亚 熊绍珍 刘召军 赵淑云 郭海成

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

孟志国, 吴春亚, 熊绍珍, 刘召军, 赵淑云, 郭海成
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-09
  • 修回日期:  2009-07-30
  • 刊出日期:  2010-04-15

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

  • 1. (1)南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071; (2)南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;香港科技大学电子及计算机工程系,香港; (3)香港科技大学电子及计算机工程系,香港
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030)和天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400) 资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.

English Abstract

参考文献 (17)

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