搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响

田芃 黄黎蓉 费淑萍 余奕 潘彬 徐巍 黄德修

不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响

田芃, 黄黎蓉, 费淑萍, 余奕, 潘彬, 徐巍, 黄德修
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  4127
  • PDF下载量:  853
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-03
  • 修回日期:  2009-11-27
  • 刊出日期:  2010-08-15

不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响

  • 1. 华中科技大学武汉光电国家实验室,光电子科学与工程学院,武汉 430074
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号: 2007AA03Z414), 国家自然科学基金(批准号: 60777019)资助的课题.

摘要: 利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8 nm增加到12 nm,发光波长从1256.0 nm红移到1314.4 nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.

English Abstract

参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回