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4H-SiC中基面位错发光特性研究

苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门

4H-SiC中基面位错发光特性研究

苗瑞霞, 张玉明, 汤晓燕, 张义门
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  • 本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究. 结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530 nm附近和480 nm附近. 从测试结果中还发现BMD 的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60876061),陕西13115创新工程(批准号: 2008ZDKG-30),中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925009)和国防基金(批准号: 9140A08050508)资助的课题.
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    Sumakeris J J, Das M, McD.Hobgood H, Müller S G, Paisley M J, Ha S, Skowronski M, Palmour J W, Carter C H Jr. 2004 Mater.Sci.Forum 1113 457

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    Ottaviani L, Idrissi H, Hidalgo P, Lancin M, Pichaud B 2005 Phys. Stat. Sol. (c) 6 1792

    [5]

    Ottaviani L, Hidalgo P, Idrissi H, Lancin M, Martinuzzi S, Pichaud B 2004 J. Phys.: Condens Matter 16 s107

    [6]

    Kamata I, Tsuchida H, Miyanagi T, Nakamura T 2006 Mater. Sci. Forum 527-529 415

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    Xu Z J 2007 Testing and Aanalysis on Semiconductor (Science Press) P.245 (in Chinese) [许振嘉 2007 半导体检测与分析(科学出版社) 第245页]

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    Miao R X, Zhang Y M, Zhang Y M, Tang X Y, Gai Q F 2010 Chin. Phys. B 19 076106 (in press)

    [9]

    Kakanakova-Georgieva A, Yakimova R, Henry A 2002 J. Appl. Phys. 91 2890

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    Ja R X, Zhang Y M, Zhang Y M 2008 Acta Phys. Sin. 57 4456 (in Chinese) [贾仁需、 张义门、 张玉明 2008 物理学报 57 4456]

    [11]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2006 Physics of Semiconductor (National Defense Industry Press) p.47 (in Chinese) [刘恩科、 朱秉升、 罗晋生 2006 半导体物理学 (国防工业出版社) 第47页]

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-27
  • 修回日期:  2010-06-18
  • 刊出日期:  2011-03-15

4H-SiC中基面位错发光特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60876061),陕西13115创新工程(批准号: 2008ZDKG-30),中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925009)和国防基金(批准号: 9140A08050508)资助的课题.

摘要: 本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究. 结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530 nm附近和480 nm附近. 从测试结果中还发现BMD 的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯

English Abstract

参考文献 (11)

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