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高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

陈蕾 李平 文玉梅 王东

高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

陈蕾, 李平, 文玉梅, 王东
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  • 采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Terfenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfeno
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 50830202, 60774055, 10776039)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-30
  • 修回日期:  2010-09-16
  • 刊出日期:  2011-06-15

高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

  • 1. 重庆大学光电工程学院,教育部光电技术及系统重点实验室,重庆 400044
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50830202, 60774055, 10776039)资助的课题.

摘要: 采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Terfenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfeno

English Abstract

参考文献 (28)

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