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硅单晶氢致缺陷分布的实验研究

何贤昶

硅单晶氢致缺陷分布的实验研究

何贤昶
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-06-13
  • 刊出日期:  2005-07-20

硅单晶氢致缺陷分布的实验研究

  • 1. 中国科学技术大学

摘要: 利用X射线形貌术方法研究了含氢硅单晶中氢致缺陷的分布。将原生晶棒从内部切开,观察到在切口暴露表面附近,热处理后产生的氢致缺陷的密度与尺寸与内部未暴露部分相同,而不同于薄片退火的情况,对此结果作了简要的讨论。

English Abstract

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