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高分辨电子显微镜研究α-Si3N4晶格缺陷

温树林 冯景伟

高分辨电子显微镜研究α-Si3N4晶格缺陷

温树林, 冯景伟
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-07-29
  • 刊出日期:  2005-03-31

高分辨电子显微镜研究α-Si3N4晶格缺陷

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所

摘要: 对于用MgO和LiF作为添加剂以热压法制备的α-Si3N4进行高分辨电子显微镜观察时,发现结构缺陷。观察到在三晶粒晶界处有分相现象,这表明晶界玻璃相化学成分不均匀。在晶粒中,由晶格变形和(100)晶面位移所引起应力区域时有发现。在有些区域晶格变形是如此严重,以致晶胞的六方对称性都失掉了。晶格的形变可借助于(100)晶面间距与正常值6.771?的偏离加以衡量。用高分辨电子显微镜,我们发现α-Si3N4存在辐射损伤,这可能

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