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用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布

苏子敏 彭少麒

用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布

苏子敏, 彭少麒
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-07-17
  • 刊出日期:  2005-07-14

用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布

  • 1. 中山大学物理系
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 本文提出了一种新的研究a-Si:H隙态密度分布的方法——内光发射瞬态电流温度谱。利用这种方法,我们测量了辉光放电制备的a-Si:H材料的隙态密度分布。所得结果在结构上与通常的场效应法结果相似,但在数值上比场效应法结果约小一到两个数量级。

English Abstract

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