| [1] | 翟世铭, 廖黄盛, 周耐根, 黄海宾, 周浪. a-Si:H薄膜中SiyHx结构组态的原子模拟研究. 物理学报,
												2020, 69(7): 076801.
												
												doi: 10.7498/aps.69.20191275 | 
							
									| [2] | 郑雪, 余学功, 杨德仁. -Si:H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化. 物理学报,
												2013, 62(19): 198801.
												
												doi: 10.7498/aps.62.198801 | 
							
									| [3] | 王祥, 黄锐, 宋捷, 郭艳青, 陈坤基, 李伟. a-SiNx/nc-Si/a-SiNx双势垒结构中的电荷隧穿和存储效应. 物理学报,
												2011, 60(2): 027301.
												
												doi: 10.7498/aps.60.027301 | 
							
									| [4] | 马小凤, 王懿喆, 周呈悦. a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究. 物理学报,
												2011, 60(6): 068102.
												
												doi: 10.7498/aps.60.068102 | 
							
									| [5] | 胡跃辉, 阴生毅, 陈光华, 吴越颖, 周小明, 周健儿, 王 青, 张文理. MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究. 物理学报,
												2004, 53(7): 2263-2269.
												
												doi: 10.7498/aps.53.2263 | 
							
									| [6] | 徐艳月, 孔光临, 张世斌, 胡志华, 曾湘波, 刁宏伟, 廖显伯. 稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析. 物理学报,
												2003, 52(6): 1465-1468.
												
												doi: 10.7498/aps.52.1465 | 
							
									| [7] | 王永谦, 陈长勇, 陈维德, 杨富华, 刁宏伟, 许振嘉, 张世斌, 孔光临, 廖显伯. a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究. 物理学报,
												2001, 50(12): 2418-2422.
												
												doi: 10.7498/aps.50.2418 | 
							
									| [8] | 陈光华, 郭永平, 姚江宏, 宋志忠, 张仿清. a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性. 物理学报,
												1994, 43(11): 1847-1853.
												
												doi: 10.7498/aps.43.1847 | 
							
									| [9] | 王印月, 许怀哲, 陈光华. 反应溅射a-Si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性. 物理学报,
												1992, 41(2): 302-305.
												
												doi: 10.7498/aps.41.302 | 
							
									| [10] | 王洪, 朱美芳, 郑德娟. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中空间电势分布和光电导的理论计算. 物理学报,
												1992, 41(8): 1338-1344.
												
												doi: 10.7498/aps.41.1338 | 
							
									| [11] | 王志超, 滕敏康, 刘吟春. 用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷. 物理学报,
												1991, 40(12): 1973-1979.
												
												doi: 10.7498/aps.40.1973 | 
							
									| [12] | 黄旭光, 汪河洲, 佘卫龙, 李庆行, 余振新, 金波, 彭少麒. a-Si:H/a-SiNx:H多层膜的皮秒时间分辨光致发光. 物理学报,
												1991, 40(10): 1677-1682.
												
												doi: 10.7498/aps.40.1677 | 
							
									| [13] | 朱美芳, 宗军, 张秀增. 不同含氮量的a-Si:H/a-SiNx:H超晶格界面性质的研究. 物理学报,
												1991, 40(2): 253-261.
												
												doi: 10.7498/aps.40.253 | 
							
									| [14] | 张仿清, 贺德衍, 宋志忠, 柯宁, 陈光华. B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散. 物理学报,
												1990, 39(12): 1982-1988.
												
												doi: 10.7498/aps.39.1982 | 
							
									| [15] | 彭少麒;苏子敏;刘景希. a-Si:H结的横向光生伏特效应. 物理学报,
												1989, 38(8): 1235-1244.
												
												doi: 10.7498/aps.38.1235 | 
							
									| [16] | 戴国才, 张瑞勤, 关大任, 蔡政亭. a-Si:H掺杂机理的研究. 物理学报,
												1989, 38(5): 829-833.
												
												doi: 10.7498/aps.38.829 | 
							
									| [17] | 程兴奎, 赵文瑾, 戴国才. 高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性. 物理学报,
												1988, 37(3): 481-484.
												
												doi: 10.7498/aps.37.481 | 
							
									| [18] | 王志超, 滕敏康, 张淑仪, 葛网大, 邱树业. a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合. 物理学报,
												1988, 37(8): 1291-1297.
												
												doi: 10.7498/aps.37.1291 | 
							
									| [19] | 王树林, 程如光. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的掺杂效应. 物理学报,
												1988, 37(7): 1119-1123.
												
												doi: 10.7498/aps.37.1119 | 
							
									| [20] | 王万录, 廖克俊. 非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究. 物理学报,
												1987, 36(12): 1529-1537.
												
												doi: 10.7498/aps.36.1529 |