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用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究

朱美芳 许政一

用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究

朱美芳, 许政一
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-02-20
  • 刊出日期:  2005-07-08

用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究

  • 1. (1)中国科学技术大学研究生院; (2)中国科学院物理研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    中国科学技术大学科研基金

摘要: 本文用较完整的热激电导理论分析方法,处理非晶态半导体的热激电导谱,获得a-Si:H薄膜和a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中能隙上半部缺陷态密度的分布。其结果与用Fritzsche的理论分析方法获得的态密度分布一致。进一步比较了两种处理方法的主要特点,讨论了它们的特征参量,最大热发射能级Em与准费密能级Eq之间的关系。结果证明,a-Si:H热激电导的分析应用弱复合情况处理,热激载流子的再俘获不能忽略。表明Gu等人的理论分析进一步改进了对非晶态半导体热激电导谱的处理。

English Abstract

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