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InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

王莉君 侯宏启 周均铭 唐汝明 鲁志东 王彦云 黄绮

InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

王莉君, 侯宏启, 周均铭, 唐汝明, 鲁志东, 王彦云, 黄绮
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-05-18
  • 刊出日期:  2005-07-08

InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。

English Abstract

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