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B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散

张仿清 贺德衍 宋志忠 柯宁 陈光华

B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散

张仿清, 贺德衍, 宋志忠, 柯宁, 陈光华
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-03-01
  • 刊出日期:  1990-06-05

B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散

  • 1. 兰州大学物理系,兰州,730001
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 本文用 11B(p,a)8 Be(Er=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。

English Abstract

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