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InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究

张帆 李林 马晓辉 李占国 隋庆学 高欣 曲轶 薄报学 刘国军

InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究

张帆, 李林, 马晓辉, 李占国, 隋庆学, 高欣, 曲轶, 薄报学, 刘国军
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  • 详细地介绍了计算线宽展宽因子(因子)的理论基础及推导过程, 建立了因子的简便模型. 该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对因子的影响, 利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益, 进而对因子进行近似计算. 模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及因子的大小, 计算结果与文献报道的实验值相符. 进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对因子的影响. 结果表明,因子随In组分和阱宽的增加而增加.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60976038, 61006039)和高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号: 010602)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-21
  • 修回日期:  2011-05-23
  • 刊出日期:  2012-03-05

InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究

  • 1. 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022;
  • 2. 总装备部装甲兵驻长春地区军事代表室, 长春 130103
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976038, 61006039)和高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号: 010602)资助的课题.

摘要: 详细地介绍了计算线宽展宽因子(因子)的理论基础及推导过程, 建立了因子的简便模型. 该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对因子的影响, 利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益, 进而对因子进行近似计算. 模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及因子的大小, 计算结果与文献报道的实验值相符. 进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对因子的影响. 结果表明,因子随In组分和阱宽的增加而增加.

English Abstract

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