搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响

卓青青 刘红侠 杨兆年 蔡惠民 郝跃

偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响

卓青青, 刘红侠, 杨兆年, 蔡惠民, 郝跃
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2995
  • PDF下载量:  699
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-24
  • 修回日期:  2012-06-14
  • 刊出日期:  2012-11-20

偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60936005), 教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号: 708083)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 200110203110012)资助的课题.

摘要: 本文研究了0.8 μm SOI NMOS晶体管, 经剂量率为50 rad(Si)/s 的60Co γ射线辐照之后的总剂量效应, 分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性. 研究结果表明: 器件辐照时的栅偏置电压越高, 辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多, 引起的漏极泄漏电流越大.对于漏偏置为5 V的器件, 当栅电压大于阈值电压时, 前栅ID-VG特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大, 体电极的电流曲线呈现倒立的钟形.

English Abstract

参考文献 (9)

目录

    /

    返回文章
    返回