第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO

姚光锐; 范广涵; 郑树文; 马佳洪; 陈峻; 章勇; 李述体; 宿世臣; 张涛

doi:10.7498/aps.61.176105

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Te-N共掺杂ZnO体系的晶格结构、杂质态密度和电子结构进行了理论分析.研究表明, N掺杂引起晶格收缩,而Te的掺入引起晶格膨胀, 从而减小晶格应力促进N的掺杂,并且Te由于电负性小于O而带正电, Te在ZnO中作为等电子施主而存在.研究发现, N掺杂体系中在费米能级附件形成窄的深受主能级, 而Te-N共掺体系中, N杂质带变宽,空穴更加离域,同时,空穴有效质量变小,受主能级变浅, 更有利于实现p型特性.因此, Te-N共掺有望成为一种更为有效的p型掺杂手段.

关键词:

作者及机构信息

1.
华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 510631;

2.
广东工业大学实验教学部, 广州 510006

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61176043); 广东省战略性新兴产业LED产业项目(批准号: 2010A081002005, 2011A081301003) 和广东省教育部产学研项目(批准号: 2010B090400192)资助的课题.

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第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO

摘要

作者及机构信息

1.
华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 510631;

2.
广东工业大学实验教学部, 广州 510006

参考文献

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第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO

English Abstract

First-principles study of p-type ZnO by Te-N codoping

1.
Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;

2.
Experimental Teaching Center, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China

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第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO

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First-principles study of p-type ZnO by Te-N codoping

1. Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China; 2. Experimental Teaching Center, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China

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华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广州 510631;

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Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;

2.
Experimental Teaching Center, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China