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氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响

彭述明 申华海 龙兴贵 周晓松 杨莉 祖小涛

氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响

彭述明, 申华海, 龙兴贵, 周晓松, 杨莉, 祖小涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-02
  • 修回日期:  2011-07-25
  • 刊出日期:  2012-09-05

氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响

  • 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所, 绵阳 621900;
  • 2. 电子科技大学物理电子学院, 成都 610054
    基金项目: 

    国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金(批准号: 10976007)

    国家自然科学基金(批准号: 50871106)和中国工程物理研究院科学技术发展基金(批准号: 2009A0301015)资助的课题.

摘要: 采用XRD, SEM, AFM等详细研究了氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响. 结果表明,在单晶硅及抛光Mo基片上制备的钪膜均具有(002)晶面择优取向;钪膜氘化后表面会出现大量孔洞, 氘化后氘化钪(ScD2)晶粒长大,但内部会残留少量未完全氘化反应的晶粒尺寸较小的 ScD0.33/Sc晶粒;氦离子注入对钪及氘化钪的表面形貌没有明显影响, 离子注入的氦将在钪及氘化钪晶格中聚集成泡,导致氦离子注入层中的钪及氘化钪衍射峰向低角度偏移, 并且氦泡的聚集具有择优取向性.

English Abstract

参考文献 (15)

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