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高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

常虎东 孙兵 卢力 赵威 王盛凯 王文新 刘洪刚

高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

常虎东, 孙兵, 卢力, 赵威, 王盛凯, 王文新, 刘洪刚
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-08
  • 修回日期:  2012-05-11
  • 刊出日期:  2012-11-05

高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

  • 1. 中国科学院微电子研究所, 微波器件与集成电路研究室, 北京 100029;
  • 2. 中国科学院物理研究所, 北京 100190
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2011CBA00605, 2010CB327501)、 国家科技重大专项(批准号: 2011ZX02708-003)资助的课题.

摘要: 从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作. 研究发现InAlAs势垒层对In0.6Ga0.4As MOSHEMT的特性具有重要影响. 与In0.6Ga0.4As MOSFET相比, In0.6Ga0.4As MOSHEMT表现出优异的电学特性. 实验结果表明, In0.6Ga0.4As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm2/V·s-1, 是In0.6Ga0.4As MOSFET的3.2倍. 0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.

English Abstract

参考文献 (12)

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