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基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究

吴晓鹏 杨银堂 高海霞 董刚 柴常春

基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究

吴晓鹏, 杨银堂, 高海霞, 董刚, 柴常春
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-25
  • 修回日期:  2012-11-07
  • 刊出日期:  2013-02-20

基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国防预研究基金(批准号:9140A23060111)、中央高校基本科研业务费(批准号:K50510250002)和陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:2011KTCQ01-19)资助的课题.

摘要: 在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge, ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化, 并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据 版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型, 所建模型准确地预估了不同衬底 结构上源极扩散到衬底接触扩散间距变化对触发电压Vt1的影响. 栅接地n型金属氧化物半导体器件的击穿特性结果表明, 所提出的衬底电阻模 型与实验结果符合良好, 且仿真时间仅为器件仿真软件的7%, 为ESD保护器件版 图优化设计提供了方法支持.

English Abstract

参考文献 (19)

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