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氨化法制备GaN:Tb纳米颗粒的光学性能

潘孝军 安秀云 张海军 张振兴 谢二庆

氨化法制备GaN:Tb纳米颗粒的光学性能

潘孝军, 安秀云, 张海军, 张振兴, 谢二庆
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  • 利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb纳米颗粒. X射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构, 根据Scherrer公式, 计算得到了GaN:Tb纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2 nm; 透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb纳米颗粒尺寸均匀, 尺寸大小约为20 nm; 除正常的GaN Raman振动模式外, 还观察到了251和414 cm-1 2个额外的Raman散射峰, 前者是表面无序或尺寸限制效应造成的, 而后者则是八面体Ga-N6振动模式; 最后, 测量了GaN:Tb纳米颗粒的室温光致发光谱, 获得了Tb3+离子在可见光区(位于493.9, 551.2, 594.4和630.1 nm)的本征发光.
    • 基金项目: 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: lzujbky-2012-34)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-02-13
  • 修回日期:  2012-08-29
  • 刊出日期:  2013-02-05

氨化法制备GaN:Tb纳米颗粒的光学性能

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院, 兰州 730000
    基金项目: 

    中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: lzujbky-2012-34)资助的课题.

摘要: 利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb纳米颗粒. X射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构, 根据Scherrer公式, 计算得到了GaN:Tb纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2 nm; 透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb纳米颗粒尺寸均匀, 尺寸大小约为20 nm; 除正常的GaN Raman振动模式外, 还观察到了251和414 cm-1 2个额外的Raman散射峰, 前者是表面无序或尺寸限制效应造成的, 而后者则是八面体Ga-N6振动模式; 最后, 测量了GaN:Tb纳米颗粒的室温光致发光谱, 获得了Tb3+离子在可见光区(位于493.9, 551.2, 594.4和630.1 nm)的本征发光.

English Abstract

参考文献 (37)

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