搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

应变Si NMOS积累区电容特性研究

王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 舒斌 周春宇 李妤晨 吕懿

应变Si NMOS积累区电容特性研究

王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 舒斌, 周春宇, 李妤晨, 吕懿
PDF
导出引用
  • 积累区MOS电容线性度高且不受频率限制, 具有反型区MOS电容不可比拟的优势. 本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上, 通过求解电荷分布, 建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型, 并与实验结果进行了对比, 验证了模型的正确性. 最后, 基于该模型, 研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响, 为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用. 本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中, 为器件仿真奠定了理论基础.
    • 基金项目: 国家部委项目 (批准号: 51308040203, 6139801)、中央高校基本科研业务费 (批准号: 72105499, 72104089) 和陕西省自然科学基础研究计划 (批准号: 2010JQ8008) 资助的课题.
    [1]

    Wang G Y, Zhang H M, Wang X Y, Wu T F, Wang B 2011 Acta Phys. Sin. 60 77106 (in Chinese) [王冠宇, 张鹤鸣, 王晓燕, 吴铁峰, 王斌 2011 物理学报 60 77106]

    [2]

    Li B, Liu H X , Yuan B, Li J, Lu F M 2011 Acta Phys. Sin. 60 017202 (in Chinese) [李斌, 刘红霞, 袁博, 李劲, 卢凤铭 2011 物理学报 60 017202 ]

    [3]

    Hu H Y, Zhang H M, Dai X Y, L Y, Shu B, Wang W, Jiang T, Wang X Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 4314 (in Chinese) [胡辉勇, 张鹤鸣, 戴显英, 吕懿, 舒斌, 王伟, 姜涛, 王喜媛 2004 物理学报 53 4314]

    [4]

    Zhang Z F, Zhang H M, Hu H Y, Xuan R X, Song J J 2009 Acta Phys.Sin. 58 4648 (in Chinese) [张志峰, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 宋建军 2009 物理学报 58 4648]

    [5]

    Jiang T, Zhang H M, Wang W, Hu H Y, Dai X Y 2006 Chin. Phys. 15 1339

    [6]

    Haizhou Y, Hobart K D, Peterson R L, Kub F J, Sturm J C 2005 IEEE Trans. on Electron Devices 52 2207

    [7]

    Lauer I, Langdo T A, Cheng Z Y, Fiorenza J G, Brainthwaite G, Currie M T, Leitz C W, Lochtefeld A, Badawi H, Bulsara M T, Somerville M, Antoniadis D A 2004 IEEE Electron Device Letters 25 83

    [8]

    Bindu B, Nandita D G, Amitava D G 2006 IEEE Trans. on Electron Devices 53 1411

    [9]

    Wei J Y, Maikap S, Lee M H, Lee C C, Liu C W 2006 Solid-State Electronics 50 109

    [10]

    Liao J H, Canonico M, Robinson M, Schroder D K 2006ECS Trans. 3 1211

    [11]

    Bera L K, Mathew S, Balasubramanian N, Braithwaite G, Currie M T, Singaporewala F 2004 Appl. Surf. Sci. 224 278

    [12]

    Chandrasekaran K, Xin Z, Chiah S B, See G H, Bera L K, Balasubramanian N, Rustagi S C 2006 IEEE Electron Device Letters 27 62

    [13]

    Kelaidis N, Skarlatos D, Tsamis C 2008 Phys. Stat. Sol. C 5 3647

    [14]

    Otin A, Celma S, Aldea C 2004 Solid State Electronics 48 773

    [15]

    Yao B, Fang Z B, Zhu Y Y, Li T, He G 2012 Appl. Phys. Lett. 100 222903

    [16]

    Yoo S S, Choi Y C, Song H J, Park S C, Park J H, Yoo H J 2011 IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques 59 375

  • [1]

    Wang G Y, Zhang H M, Wang X Y, Wu T F, Wang B 2011 Acta Phys. Sin. 60 77106 (in Chinese) [王冠宇, 张鹤鸣, 王晓燕, 吴铁峰, 王斌 2011 物理学报 60 77106]

    [2]

    Li B, Liu H X , Yuan B, Li J, Lu F M 2011 Acta Phys. Sin. 60 017202 (in Chinese) [李斌, 刘红霞, 袁博, 李劲, 卢凤铭 2011 物理学报 60 017202 ]

    [3]

    Hu H Y, Zhang H M, Dai X Y, L Y, Shu B, Wang W, Jiang T, Wang X Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 4314 (in Chinese) [胡辉勇, 张鹤鸣, 戴显英, 吕懿, 舒斌, 王伟, 姜涛, 王喜媛 2004 物理学报 53 4314]

    [4]

    Zhang Z F, Zhang H M, Hu H Y, Xuan R X, Song J J 2009 Acta Phys.Sin. 58 4648 (in Chinese) [张志峰, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 宋建军 2009 物理学报 58 4648]

    [5]

    Jiang T, Zhang H M, Wang W, Hu H Y, Dai X Y 2006 Chin. Phys. 15 1339

    [6]

    Haizhou Y, Hobart K D, Peterson R L, Kub F J, Sturm J C 2005 IEEE Trans. on Electron Devices 52 2207

    [7]

    Lauer I, Langdo T A, Cheng Z Y, Fiorenza J G, Brainthwaite G, Currie M T, Leitz C W, Lochtefeld A, Badawi H, Bulsara M T, Somerville M, Antoniadis D A 2004 IEEE Electron Device Letters 25 83

    [8]

    Bindu B, Nandita D G, Amitava D G 2006 IEEE Trans. on Electron Devices 53 1411

    [9]

    Wei J Y, Maikap S, Lee M H, Lee C C, Liu C W 2006 Solid-State Electronics 50 109

    [10]

    Liao J H, Canonico M, Robinson M, Schroder D K 2006ECS Trans. 3 1211

    [11]

    Bera L K, Mathew S, Balasubramanian N, Braithwaite G, Currie M T, Singaporewala F 2004 Appl. Surf. Sci. 224 278

    [12]

    Chandrasekaran K, Xin Z, Chiah S B, See G H, Bera L K, Balasubramanian N, Rustagi S C 2006 IEEE Electron Device Letters 27 62

    [13]

    Kelaidis N, Skarlatos D, Tsamis C 2008 Phys. Stat. Sol. C 5 3647

    [14]

    Otin A, Celma S, Aldea C 2004 Solid State Electronics 48 773

    [15]

    Yao B, Fang Z B, Zhu Y Y, Li T, He G 2012 Appl. Phys. Lett. 100 222903

    [16]

    Yoo S S, Choi Y C, Song H J, Park S C, Park J H, Yoo H J 2011 IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques 59 375

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  2216
  • PDF下载量:  664
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-08-21
  • 修回日期:  2012-10-29
  • 刊出日期:  2013-03-05

应变Si NMOS积累区电容特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目 (批准号: 51308040203, 6139801)、中央高校基本科研业务费 (批准号: 72105499, 72104089) 和陕西省自然科学基础研究计划 (批准号: 2010JQ8008) 资助的课题.

摘要: 积累区MOS电容线性度高且不受频率限制, 具有反型区MOS电容不可比拟的优势. 本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上, 通过求解电荷分布, 建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型, 并与实验结果进行了对比, 验证了模型的正确性. 最后, 基于该模型, 研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响, 为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用. 本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中, 为器件仿真奠定了理论基础.

English Abstract

参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回