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应变Si NMOS积累区电容特性研究

王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 舒斌 周春宇 李妤晨 吕懿

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应变Si NMOS积累区电容特性研究

王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 舒斌, 周春宇, 李妤晨, 吕懿

Research on the capacitance-voltage characteristic of strained-silicon NMOS accumulation capacitor

Wang Bin, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Zhang Yu-Ming, Shu Bin, Zhou Chun-Yu, Li Yu-Chen, Lü Yi
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-08-21
  • 修回日期:  2012-10-29
  • 刊出日期:  2013-03-05

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