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直流磁控溅射厚度对Cu(Inx,Ga1-x)Se2背接触Mo薄膜性能的影响

田晶 杨鑫 刘尚军 练晓娟 陈金伟 王瑞林

直流磁控溅射厚度对Cu(Inx,Ga1-x)Se2背接触Mo薄膜性能的影响

田晶, 杨鑫, 刘尚军, 练晓娟, 陈金伟, 王瑞林
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-27
  • 修回日期:  2013-01-31
  • 刊出日期:  2013-06-05

直流磁控溅射厚度对Cu(Inx,Ga1-x)Se2背接触Mo薄膜性能的影响

  • 1. 四川大学材料科学与工程学院, 成都 610065
    基金项目: 

    高等学校博士学科点专项科研基金 (批准号: 20110181110003)、成都市科技局攻关计划 (批准号: 10GGYB380GX-023, 10GGYB828GX-023)、中物院-四川大学协同创新基金 (批准号: XTCX2011001)和四川省科技厅科技支撑项目(批准号: 2013FZ0034)资助的课题.

摘要: 采用直流磁控溅射工艺, 在一定条件下通过控制溅射时间, 在钠钙玻璃上制备了不同厚度的用于Cu(Inx, Ga1-x)Se2薄膜太阳电池背接触材料的Mo薄膜, 并利用X射线衍射 (XRD)、场发射扫描电子显微镜 (SEM)、四探针测试仪、台阶仪研究了厚度对溅射时间、薄膜微结构、电学性能及力学性能的交互影响. Mo薄膜的厚度与溅射时间呈线性递增关系; 随厚度的增大, Mo薄膜 (110) 和 (211) 面峰强均逐渐增大, 择优生长从(110)方向逐渐向 (211)方向转变, 方块电阻值只随 (110) 方向上的生长而急剧减小直到一特定值约2 Ω/⇑, 电导率随薄膜的 (110) 择优取向程度的降低而线性减小直到一特定值约0.96×10-4 Ω·cm; Mo薄膜内部是一种多孔的长形簇状颗粒和颗粒间隙交织的结构, 并处于拉应力态, 其内部应变随薄膜厚度的增大而减小.

English Abstract

参考文献 (15)

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