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氧对IZO低压无结薄膜晶体管稳定性的影响

张耕铭 郭立强 赵孔胜 颜钟惠

氧对IZO低压无结薄膜晶体管稳定性的影响

张耕铭, 郭立强, 赵孔胜, 颜钟惠
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-17
  • 修回日期:  2013-03-19
  • 刊出日期:  2013-07-05

氧对IZO低压无结薄膜晶体管稳定性的影响

  • 1. 教育部微纳光电子器件重点实验室, 化学生物传感与计量学国家重点实验室, 物理与微电子科学学院, 湖南大学, 长沙 410082;
  • 2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 宁波 315201

摘要: 本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管, 并研究了氧分压对其稳定性的影响. 氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结构新颖等优点, 然而氧化物沟道层易受氧、水分子等影响, 造成稳定性下降. 在室温下, 本文通过改变高纯氧流量制备氧化铟锌透明导电薄膜作为沟道层、源漏电极, 分析了氧压对于氧化物无结薄膜晶体管稳定性的影响. 为使晶体管在低电压(6、亚阈值斜率小于100 mV/decade以及场效 应迁移率大于20 cm2/V·s. 实验研究表明, 通氧制备的氧化铟锌薄膜的电阻率会上升, 导致晶体管的阈值电压向正向漂移, 最终使晶体管的工作模式由耗尽型转变为增强型.

English Abstract

参考文献 (14)

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