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室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 季航

室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

赵特秀, 王晓平, 吴建新, 徐彭寿, 陆尔东, 许振嘉, 季航
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-01-21
  • 刊出日期:  1995-02-05

室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

  • 1. (1)北京大学物理系,北京100871; (2)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学技术大学结构成分分析中心,合肥230026; (4)中国科学技术大学物理系,合肥230026; (5)中国科学院半导体研究所,北京100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半

English Abstract

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