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纳米硅薄膜退火特性

刘洪涛 何宇亮 余明斌 罗晋生

纳米硅薄膜退火特性

刘洪涛, 何宇亮, 余明斌, 罗晋生
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-03-25
  • 刊出日期:  1995-04-20

纳米硅薄膜退火特性

  • 1. (1)北京大学技术物理系,北京100871; (2)北京航空航天大学数理系,北京100083南京大学物理系与固体微结构国家重点实验室,南京210008; (3)北京航空航天大学数理系,北京100083西安交通大学电子工程系,西安710049; (4)西安交通大学电子工程系,西安710049

摘要: 对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g~(o

English Abstract

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