搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

聚焦Ga+离子束注入方法研制半导体量子线结构

吴正云 黄启圣

聚焦Ga+离子束注入方法研制半导体量子线结构

吴正云, 黄启圣
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2549
  • PDF下载量:  615
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1995-01-11
  • 刊出日期:  1996-03-20

聚焦Ga+离子束注入方法研制半导体量子线结构

  • 1. 厦门大学物理系,厦门361005

摘要: 采用聚焦Ga+离子束注入方法,在GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱材料上尝试制备半导体量子线。通过低温光致发光谱,测量了量子线的光电特性,并观察了由于沟道效应导致的深层量子阱的光谱蓝移。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回